硅片在半导体器件领域中应用广泛，随着电子产品对高性能、多功能和小型化的需求推动了集成电路(IC)封装技术的发展，需要对硅片进行背面减薄加工。硅片背面减薄技术有很多种，如磨削、抛光、干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子辅助化学腐蚀和常压等离子腐蚀等。目前，金刚石砂轮的超精密磨削技术在硅片工业减薄加工中广泛应用，该技术通过砂轮在硅片表面旋转施压、损伤、破裂、移除而实现硅片减薄。但是，工艺中不可避免引入损伤，降低器件可靠性和稳定性，同时超精密磨削减薄技术面临着高加工质量和高加工效率的突出矛盾。
随着激光加工技术的不断发展，它已经开始应用于硅片的工业生产中。利用光纤激光精密切割单晶硅；利用激光在柔性和刚性衬底上沉积非晶硅薄膜；利用激光进行硅片表面退火；利用激光清洗硅片表面杂物；飞秒激光扫描硅表面诱导形成微结构；晶体硅片上的激光打孔等都已进行过研究或应用。
该项目针对硅片减薄这一工程问题，尝试使用皮秒激光进行多晶硅片的减薄切割一体化加工，避免了机械磨削的表面损伤，降低硅片生产的碎片率，提高加工效率和质量，而且还会减少化学试剂的使用，有利于提高硅片生产的环保性。